| 发明名称 | 降低背沟道刻蚀型TFT漏电率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，在经过沟道成型制程、沟道区保护层制程后，在沟道区保护层上增设一附加保护层，所述附加保护层将TFT沟道区覆盖。本发明由于在经过沟道成型制程、沟道区保护层制程后，在TFT的沟道区保护层上增加一附加保护层，覆盖TFT沟道区域，因此，可以阻挡后续金属类薄膜制作时一些导电粒子注入或扩散进入到TFT沟道上方的沟道区保护层中，避免引起“浮栅”效应，从而有效降低TFT漏电流，本发明提供的制作方法，可使TFT-array漏电流降低约一个数量级以上。 | ||
| 申请公布号 | CN102005389A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN201010509490.X | 申请日期 | 2010.10.15 |
| 申请人 | 信利半导体有限公司 | 发明人 | 郝付泼;谢凡;覃事建;王文伟;何瑞锄;于春崎;何基强 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 曹志霞;李赞坚 |
| 主权项 | 一种降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，其特征在于，在经过沟道成型制程、沟道区保护层制程后，在沟道区保护层上增设一附加保护层，所述附加保护层将TFT沟道区覆盖。 | ||
| 地址 | 516600 广东省汕尾市城区工业大道信利电子工业城 | ||