半导体器件

摘要

本发明以防止在半导体器件的冗长用熔丝切断面发生ESD浪涌，保护内部电路晶体管为目的。本发明半导体器件的特征在于具备：半导体衬底1；在半导体衬底1的表面上形成的场绝缘膜2；在场绝缘膜2上形成的熔丝4；覆盖熔丝4的绝缘膜5；覆盖绝缘膜5，同时在熔丝4上方形成了开口部10的绝缘膜8；以及以在开F部10内露出的方式形成在绝缘膜5上，连接到衬底电位和电源电位中的某一个电位的导电膜7。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具备：半导体衬底；在上述半导体衬底的表面上形成的第1绝缘膜；在上述第1绝缘膜上形成的熔丝；覆盖上述熔丝的第2绝缘膜；覆盖上述第2绝缘膜，并且在上述熔丝上方形成了第1开口部的第3绝缘膜；形成于上述半导体衬底中的表面部分，连接到衬底电位或电源电位的高浓度扩散区；在上述第2绝缘膜中以露出上述高浓度扩散区的方式设置的第2开口部；以及以通过上述第2开口部与上述高浓度扩散区电连接、并在上述第1开口部内露出的方式形成在上述第2绝缘膜上的第1导电膜，该第1导电膜经由上述第2开口部和上述高浓度扩散区连接到衬底电位或电源电位，其中，由上述第1导电膜和上述高浓度扩散区形成对冗长用熔丝的ESD保护电路。