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发明名称
Transistor with embedded si/ge material having enhanced boron confinement
摘要
申请公布号
GB2474170(A)
申请公布日期
2011.04.06
申请号
GB20110000855
申请日期
2009.07.31
申请人
ADVANCED MICRO DEVICES, INC
发明人
JAN HOENTSCHEL;MACIEJ WIATR;VASSILIOS PAPAGEORGIOU
分类号
H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78
主分类号
H01L21/265
代理机构
代理人
主权项
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