发明名称 纳米线光电二极管和制作纳米线光电二极管的方法
摘要 公开了一种基于纳米线的光电二极管(100,200,300,400)。所述光电二极管包括具有锥形第一端部(106,206,306,406)的第一光波导(102,202,302,402)、具有锥形第二端部(110,210,310,410)的第二光波导(104,204,304,404)以及至少一个包括至少一种半导体材料、以桥接配置连接所述第一端部和第二端部(108,112,208,212,308,312,408,412)的纳米线(114,214,314,414)。还公开了制作所述光电二极管的方法。
申请公布号 CN101689581B 申请公布日期 2011.04.06
申请号 CN200880022465.X 申请日期 2008.06.25
申请人 惠普开发有限公司 发明人 S·-Y·王;M·谭;A·布拉特科夫斯基;R·S·威廉斯;N·科巴亚施
分类号 H01L31/10(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I 主分类号 H01L31/10(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 李娜;王洪斌
主权项 一种纳米线光电二极管(100,200,300,400),包括:包括锥形第一端部(106,206,306,406)的第一光波导(102,202,302,402),所述第一端部包括第一尖端(108,208,308,408);包括锥形第二端部(110,210,310,410)的第二光波导(104,204,304,404),所述第二端部包括与所述第一尖端隔开的第二尖端(112,212,312,412);以及包括至少一种半导体材料的至少一个纳米线(114,214,314,414),所述纳米线以桥接配置连接所述第一尖端和所述第二尖端。
地址 美国德克萨斯州