一种肖特基二极管

摘要

本发明一种肖特基二极管，采用肖特基二极管芯片的极层保护环技术，提高了反向绝缘能力，使本发明肖特基二极管反向漏电流≤15μA，反向耐压能力增强到≥50V，简化了生产工序和流程，节省了原材料和能源，提高了生产效率，降低了成本，杜绝使用具有腐蚀污染环境化学品，有利环境保护；而肖特基二极管引线头的梯形锥柱体设计在增加焊接面的同时减少与肖特基二极管芯片的接触面，减少了在焊接时容易造成短路的现象，提高了可焊性，保证了肖特基二极管芯片与引线头有效可靠的焊接，增强了肖特基二极管抵抗拉伸和弯曲的能力，实现了延长肖特基二极管的使用寿命，提高出厂优品率的目的。

主权项

一种肖特基二极管，包括N型与P型扩散的单晶硅片构成的肖特基二极管芯片，其中P型区域位于N型区域之上，以及位于肖特基二极管芯片P型区域周围的复合元素介面层保护环，该保护环环绕P型区域，位于上述保护环之上的焊接片以及与肖特基二极管芯片的接触面接触的引线头，通过引线头与焊接片连接的引线，其特征在于：引线头设计为梯形锥柱体结构，其顶部与肖特基二极管芯片的接触面为梯形山峰头接触。