一种用于形成磁存储器件的方法

摘要

本发明提供了一种包括去离子水和有机酸的蚀刻剂溶液，该有机酸具有羧基和氢氧基。还公开了用于形成磁存储器件的方法。

主权项

一种用于形成磁存储器件的方法，包括：在衬底上形成底部磁性层、隧道阻挡层以及顶部磁性层；在顶部磁性层的预定区域上形成掩模图形；利用包括去离子水和有机酸的蚀刻剂溶液，以从顶部磁性层向隧道阻挡层的上表面的方向，进行蚀刻，以形成顶部磁性图形，其中有机酸包括羧基和氢氧基并且相对于去离子水，有机酸具有0.05至50重量百分比；形成顶部磁性图形后，去除掩模图形；在衬底的整个表面上形成帽盖绝缘层；以及构图帽盖绝缘层、隧道阻挡层以及底部磁性层，以形成底部磁性图形、隧道阻挡图形以及帽盖绝缘图形，其中帽盖绝缘层覆盖顶部磁性图形的上表面和侧壁，而且其中相对于顶部磁性图形的平面区域，顶部磁性图形和隧道阻挡图形的平面区域较大。