| 发明名称 | 多晶硅图案形成方法、多层交叉点电阻存储器及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种形成多晶硅图案的方法、一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。形成该多晶硅图案的方法包括：在半导体衬底上形成点型非晶硅图案；在该衬底上形成盖层从而覆盖该非晶硅图案；利用准分子激光退火工艺多晶化该非晶硅图案；以及去除该盖层。另外，通过在该多晶硅图案中掺杂n型和p型杂质获得的多晶硅二极管应用到该多层交叉点电阻存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN101114585B | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN200610172718.4 | 申请日期 | 2006.12.26 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 殷华湘;朴永洙;鲜于文旭;赵世泳 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种形成多晶硅图案的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成点型非晶硅图案；在该衬底上形成盖层从而覆盖该非晶硅图案；利用准分子激光退火工艺多晶化该非晶硅图案；以及去除该盖层，其中该多晶硅图案的宽度窄于该非晶硅图案的宽度，且该多晶硅图案的高度高于该非晶硅图案的高度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||