发明名称 电阻随机存储器及其驱动方法
摘要 本发明提供了电阻随机存储器及其驱动方法,其中所述的一种电阻随机存储器包括由存储单元所组成的存储阵列,所述存储单元包括一个存储电阻以及一个选通管;所述存储电阻的一端连接位线,另一端连接选通管;所述选通管为场效应晶体管,其中栅极连接字线;所述场效应晶体管的GIDL漏电流为存储单元的读、写操作电流。本发明利用场效应晶体管中的GIDL漏电流作为读、写操作电流;一方面,GIDL漏电流较现有的电阻随机存储器的晶体管开启时的导通电流较大,能够减小存储器上选通管的功耗,而增强存储电阻上的功耗以获得良好的加热或者相变效果,另一方面,还能够避开GIDL漏电流的负面影响。
申请公布号 CN102005242A 申请公布日期 2011.04.06
申请号 CN200910194782.6 申请日期 2009.08.28
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 季明华;黄晓辉;宋立军;吴金刚;肖德元
分类号 G11C16/02(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I 主分类号 G11C16/02(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 李丽
主权项 一种电阻随机存储器,包括由存储单元所组成的存储阵列,其特征在于,所述存储单元包括一个存储电阻以及一个选通管;所述存储电阻的一端连接位线,另一端连接选通管;所述选通管为场效应晶体管,其中栅极连接字线;所述场效应晶体管的GIDL漏电流为存储单元的读、写操作电流。
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