发明名称 |
电阻随机存储器及其驱动方法 |
摘要 |
本发明提供了电阻随机存储器及其驱动方法,其中所述的一种电阻随机存储器包括由存储单元所组成的存储阵列,所述存储单元包括一个存储电阻以及一个选通管;所述存储电阻的一端连接位线,另一端连接选通管;所述选通管为场效应晶体管,其中栅极连接字线;所述场效应晶体管的GIDL漏电流为存储单元的读、写操作电流。本发明利用场效应晶体管中的GIDL漏电流作为读、写操作电流;一方面,GIDL漏电流较现有的电阻随机存储器的晶体管开启时的导通电流较大,能够减小存储器上选通管的功耗,而增强存储电阻上的功耗以获得良好的加热或者相变效果,另一方面,还能够避开GIDL漏电流的负面影响。 |
申请公布号 |
CN102005242A |
申请公布日期 |
2011.04.06 |
申请号 |
CN200910194782.6 |
申请日期 |
2009.08.28 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
季明华;黄晓辉;宋立军;吴金刚;肖德元 |
分类号 |
G11C16/02(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
李丽 |
主权项 |
一种电阻随机存储器,包括由存储单元所组成的存储阵列,其特征在于,所述存储单元包括一个存储电阻以及一个选通管;所述存储电阻的一端连接位线,另一端连接选通管;所述选通管为场效应晶体管,其中栅极连接字线;所述场效应晶体管的GIDL漏电流为存储单元的读、写操作电流。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |