发明名称 | M相耦合的磁元件以及相关的电感结构 | ||
摘要 | 一种M相耦合电感器,包括磁芯和M个绕组,其中M为大于1的整数。所述磁芯由芯材形成,并包括第一外置腿,所述第一外置腿形成第一缝隙。所述第一缝隙包括第一缝隙材料,所述第一缝隙材料具有的导磁率低于所述芯材的导磁率。每个绕组至少部分地缠绕所述磁芯的至少一部分,每个绕组具有各自的漏电感。所述第一缝隙使得所述漏电感大于所述第一外置腿未形成所述第一缝隙时的漏电感。所述耦合电感器可用于电源中,且所述电源可用于计算设备中。 | ||
申请公布号 | CN102007553A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
申请号 | CN200980113783.1 | 申请日期 | 2009.03.16 |
申请人 | 沃特拉半导体公司 | 发明人 | 亚历山德·伊克拉纳科夫;安东尼·斯特拉塔科夫 |
分类号 | H01F37/00(2006.01)I | 主分类号 | H01F37/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;王艳春 |
主权项 | 一种M相耦合电感器,其中M为大于1的整数,所述耦合电感器包括:磁芯,由芯材形成,所述磁芯包括第一外置腿,所述第一外置腿形成第一缝隙,所述第一缝隙包括第一缝隙材料,所述第一缝隙材料具有的导磁率低于所述芯材的导磁率;以及M个绕组,每个绕组至少部分地缠绕所述磁芯的至少一部分,每个绕组具有各自的漏电感,其中,所述第一缝隙使得所述漏电感大于所述第一外置腿未形成所述第一缝隙时的漏电感。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |