| 发明名称 | 一种抑制光衰减的掺锡晶体硅太阳电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种抑制光衰减的掺锡晶体硅太阳电池及其制备方法。其制备方法包括：在多晶硅原料中掺入锡和硼，锡的浓度为1016～1021cm-3，硼的浓度为1015～1017cm-3，然后在保护气氛下，生长掺锡的晶体硅；将掺锡的晶体硅切片后，进行太阳电池的制备，包括：对切片后得到的硅片进行清洗和制绒；制绒后进行磷扩散；进行刻蚀及减反射膜的沉积；最后制备电极并烧结，得到掺锡晶体硅太阳电池。本发明方法简单，成本低廉，实现了整个太阳电池制备与常规工艺的兼容，制备出有效抑制光衰减的掺锡晶体硅太阳电池。 | ||
| 申请公布号 | CN102005505A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN201010509942.4 | 申请日期 | 2010.10.18 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 余学功;王朋;马向阳;杨德仁 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0288(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
| 主权项 | 一种抑制光衰减的掺锡晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在多晶硅原料中掺入锡和硼，锡的浓度为1016～1021cm‑3，硼的浓度为1015～1017cm‑3，然后在保护气氛下，生长掺锡的晶体硅；(2)将步骤(1)生长得到的掺锡的晶体硅切片后，进行太阳电池的制备，包括：对切片后得到的硅片进行清洗和制绒；制绒后进行磷扩散；进行刻蚀及减反射膜的沉积；最后制备电极并烧结，得到掺锡晶体硅太阳电池。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||