发明名称 一种利用自蔓延高温反应合成SnO<sub>2</sub>纳米带的方法
摘要 本发明公开了一种利用自蔓延高温反应合成SnO2纳米带的方法,包括以下步骤:首先,按比例称取Al粉、CuO粉和Sn粉并使三者混合均匀,其中Al粉、CuO粉和Sn粉的质量百分比分别为4~10%、20~37%、53~76%;接着,将上述所得的混合粉末装入反应装置的反应腔中,在氧气氛下用镁条点燃引火粉进而引燃混合粉末;最后,利用反应装置上方的收集装置收集所得的SnO2纳米带。采用本发明合成SnO2纳米带,装置简单、操作容易、实验条件温和、制备成本低、生产效率高,所得SnO2纳米带具有高纯度、高结晶度、粒径分布均匀、分散性好且化学稳定性优良等优点,可用于半导体传感器的制备。
申请公布号 CN102001700A 申请公布日期 2011.04.06
申请号 CN201010574924.4 申请日期 2010.12.07
申请人 武汉大学 发明人 张国栋;刘念;杨兵
分类号 C01G19/02(2006.01)I 主分类号 C01G19/02(2006.01)I
代理机构 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人 张火春
主权项 一种利用自蔓延高温反应合成SnO2纳米带的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1) 按比例称取Al粉、CuO粉和Sn粉并使三者混合均匀,其中Al粉、CuO粉和Sn粉的质量百分比分别为4~10%、 20~37%、53~76%;(2) 将上述所得的混合粉末装入反应装置的反应腔中,在氧气氛下用镁条点燃引火粉进而引燃混合粉末;(3) 利用反应装置上方的收集装置收集所得的SnO2纳米带。
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