发明名称 集成电路结构及其形成方法
摘要 本发明一实施例提供一种集成电路结构及其形成方法,该集成电路结构包括:一底裸片;一顶裸片,接合至该底裸片,其中该顶裸片具有一尺寸,小于该底裸片的一尺寸;以及一封装化合物,位于该顶裸片及该顶裸片之上,其中该封装化合物延伸至接触该顶裸片的边缘,且其中该底裸片的边缘垂直对齐于该封装化合物的相应边缘。本发明可缩减封装尺寸,且也可减少工艺时间与成本。
申请公布号 CN102005440A 申请公布日期 2011.04.06
申请号 CN201010266338.3 申请日期 2010.08.26
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 王宗鼎;李柏毅;李建勋
分类号 H01L25/03(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L25/03(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 姜燕;陈晨
主权项 一种集成电路结构,包括:一底裸片;一顶裸片,接合至该底裸片,其中该顶裸片具有一尺寸,小于该底裸片的一尺寸;以及一封装化合物,位于该顶裸片及该顶裸片之上,其中该封装化合物延伸至接触该顶裸片的边缘,且其中该底裸片的边缘垂直对齐于该封装化合物的相应边缘。
地址 中国台湾新竹市