发明名称 |
集成电路结构及其形成方法 |
摘要 |
本发明一实施例提供一种集成电路结构及其形成方法,该集成电路结构包括:一底裸片;一顶裸片,接合至该底裸片,其中该顶裸片具有一尺寸,小于该底裸片的一尺寸;以及一封装化合物,位于该顶裸片及该顶裸片之上,其中该封装化合物延伸至接触该顶裸片的边缘,且其中该底裸片的边缘垂直对齐于该封装化合物的相应边缘。本发明可缩减封装尺寸,且也可减少工艺时间与成本。 |
申请公布号 |
CN102005440A |
申请公布日期 |
2011.04.06 |
申请号 |
CN201010266338.3 |
申请日期 |
2010.08.26 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
王宗鼎;李柏毅;李建勋 |
分类号 |
H01L25/03(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/03(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
姜燕;陈晨 |
主权项 |
一种集成电路结构,包括:一底裸片;一顶裸片,接合至该底裸片,其中该顶裸片具有一尺寸,小于该底裸片的一尺寸;以及一封装化合物,位于该顶裸片及该顶裸片之上,其中该封装化合物延伸至接触该顶裸片的边缘,且其中该底裸片的边缘垂直对齐于该封装化合物的相应边缘。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |