| 发明名称 | 一种三氯氢硅的合成工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种三氯氢硅的合成工艺。一种三氯氢硅的合成工艺，包括供料进炉、加压反应，本发明的目的是提供加压反应的合理压力值为0.17-0.19MPa，使三氯氢硅的纯度提高到≥90%，转化率达到90%，提高了工作效率和最后产品的质量，且安全性更高。 | ||
| 申请公布号 | CN102001669A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN201010576937.5 | 申请日期 | 2010.12.07 |
| 申请人 | 乐山永祥硅业有限公司 | 发明人 | 梁进 |
| 分类号 | C01B33/107(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人 | 方强 |
| 主权项 | 一种三氯氢硅的合成工艺，包括供料进炉、加压反应，其特征在于：所述的加压反应中，三氯氢硅合成炉内反应压力为0.17‑0.19MPa。 | ||
| 地址 | 614800 四川省乐山市五通桥区竹根镇新华村 | ||