| 发明名称 | 一种GaN基发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种GaN基发光二极管及其制造方法，其中，这种GaN基发光二极管的制造方法包括：在衬底上依次形成本征氮化镓层、n型氮化镓层、n型氮化镓铟层、发光层、p型氮化镓铝层和第一p型氮化镓层，该方法还包括：在第一p型氮化镓层上形成异质预处理层；和在异质预处理层上形成第二p型氮化镓层。 | ||
| 申请公布号 | CN102005512A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN200910194799.1 | 申请日期 | 2009.08.28 |
| 申请人 | 上海蓝宝光电材料有限公司 | 发明人 | 李刚;刘慰华;丁成;张义颖 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人 | 徐申民;吕静姝 |
| 主权项 | 一种GaN基发光二极管的制造方法，该方法包括：在衬底上依次形成本征氮化镓层、n型氮化镓层、n型氮化镓铟层、发光层、p型氮化镓铝层和第一p型氮化镓层，其特征在于，该方法还包括：在所述第一p型氮化镓层上形成异质预处理层；和在所述异质预处理层上形成第二p型氮化镓层。 | ||
| 地址 | 201616 上海市松江区文俊路2号 | ||