具有厚底部屏蔽氧化物的沟槽双扩散金属氧化物半导体器件的制备

摘要

本发明涉及提出了一种半导体器件的制备方法。器件的制备方法包括：在半导体层中制备；用绝缘材料填充沟槽；除去所选的部分绝缘材料，留下在沟槽底部的一部分绝缘材料；在剩余部分沟槽的一个或多个侧壁上，制备一个或多个隔片；使用一个或多个隔片作为掩膜，各向异性地刻蚀沟槽底部的绝缘材料，以便在绝缘物中形成沟槽；除去隔片；并用导电材料填充绝缘物中的沟槽。还可选择，在沟槽的侧壁和底部，形成一个氧化物-氮化物-氧化物(ONO)结构，并在没有被ONO结构占用的部分沟槽中，形成一个或多个导电结构。

主权项

一种用于制备半导体器件的方法，其特征在于，包括：步骤a：在半导体层中制备宽度为A的第一沟槽；步骤b：用绝缘材料填充第一沟槽；步骤c：除去所选的部分绝缘材料，留下在第一沟槽底部的一部分绝缘材料；步骤d：在第一沟槽的剩余部分的一个或多个侧壁上，制备一个或多个预设宽度为T1的隔片；步骤e：使用一个或多个隔片作为掩膜，各向异性地刻蚀第一沟槽底部的绝缘材料，在绝缘物中形成第二沟槽，使绝缘物在第二沟槽底部的预设厚度为T2，宽度A′由隔片的厚度T1决定，其中A′小于A；以及步骤f：移去隔片，留在半导体中的第一沟槽的剩余部分具有宽度A″大于A′；以及步骤g：用导电材料至少填充绝缘物中的第二沟槽。