发明名称 |
用于对硅进行选择性掺杂的方法以及使用该方法处理的硅衬底 |
摘要 |
一种用于对硅衬底(1)的硅进行选择性掺杂以在硅中产生pn结的方法,具有下列步骤:a)以基于磷的掺杂剂(2)涂覆硅衬底(1)的表面;b)然后加热硅衬底(1)以在硅的表面上产生磷硅酸盐玻璃(2),其中磷同时扩散到硅中作为第一次掺杂(3);c)将掩膜(4)施加到磷硅酸盐玻璃(2)上,使得掩膜(4)覆盖稍后高掺杂的区域(5);d)移除未被遮掩区域中的磷硅酸盐玻璃(2);e)从磷硅酸盐玻璃(2)移除掩膜(4);f)重新加热以进一步将磷从磷硅酸盐玻璃(2)扩散到硅中作为第二次掺杂以产生高掺杂的区域(5);g)从硅衬底(1)完全移除磷硅酸盐玻璃(2)以及氧化物。 |
申请公布号 |
CN102007599A |
申请公布日期 |
2011.04.06 |
申请号 |
CN200980113193.9 |
申请日期 |
2009.04.09 |
申请人 |
吉布尔.施密德有限责任公司 |
发明人 |
D·哈贝尔曼 |
分类号 |
H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/068(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张涛;卢江 |
主权项 |
一种用于对硅衬底(1)的硅进行选择性掺杂以在硅中产生pn结的方法,具有下列步骤:a)以基于磷的掺杂剂(2)涂覆硅衬底(1)的表面,b)然后加热硅衬底(1)以在硅的表面上产生磷硅酸盐玻璃(2),其中磷同时扩散到硅中作为第一次掺杂(3),c)将掩膜(4)施加到磷硅酸盐玻璃(2)上,使得掩膜(4)覆盖稍后高掺杂的区域(5),d)移除未被遮掩区域中的磷硅酸盐玻璃(2),e)从磷硅酸盐玻璃(2)移除掩膜(4),f)重新加热以进一步将磷从磷硅酸盐玻璃(2)扩散到硅中作为第二次掺杂,以产生高掺杂的区域(5),g)从硅衬底(1)完全移除磷硅酸盐玻璃(2)以及氧化物。 |
地址 |
德国弗罗伊登斯塔特 |