发明名称 |
芯片可接受度测试方法 |
摘要 |
本发明提供了一种芯片可接受度测试方法。该芯片可接受度测试方法包括:中间扫描值设定步骤,用于设定介于扫描起始值和扫描终值之间的第一中间扫描值;电流测量步骤,用于根据第一中间扫描值测量流经MOS晶体管的漏极的第一电流值;第一比较判断步骤,用于比较第一电流值的绝对值和基准电流值的绝对值;和扫描测试步骤,用于在第一电流值的绝对值不小于基准电流值的绝对值的情况下,将扫描起始值到第一中间扫描值的范围确定为扫描范围来对MOS晶体管进行扫描测试。根据本发明的该芯片可接受度测试方法在保持测试精度的情况下极大地提高了测试速度。 |
申请公布号 |
CN102004218A |
申请公布日期 |
2011.04.06 |
申请号 |
CN201010278654.2 |
申请日期 |
2010.09.10 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
戴晓明 |
分类号 |
G01R31/28(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I;G01R19/165(2006.01)I |
主分类号 |
G01R31/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种芯片可接受度测试方法,其特征在于,包括:中间扫描值设定步骤,用于设定介于扫描起始值和扫描终值之间的第一中间扫描值;电流测量步骤,用于根据第一中间扫描值测量流经MOS晶体管的漏极的第一电流值;第一比较判断步骤,用于比较第一电流值的绝对值和基准电流值的绝对值;和扫描测试步骤,用于在第一电流值的绝对值不小于基准电流值的绝对值的情况下,将扫描起始值到第一中间扫描值的范围确定为扫描范围来对MOS晶体管进行扫描测试。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 |