| 发明名称 | N型金属氧化物半导体的源漏区制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种N型金属氧化物半导体的源漏区制造方法，该方法包括：在硅片的栅极结构两侧的半导体衬底上进行轻掺杂漏注入和口袋注入；所述口袋注入分两次进行，其中一次口袋注入的为轻原子量杂质，另一次口袋注入的为重原子量杂质；为栅极结构形成侧墙，并在所述侧墙两侧的半导体衬底上进行源漏注入。应用本发明所述方法，能够改善器件的阈值电压和饱和电流的不均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN102005387A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN200910194957.3 | 申请日期 | 2009.09.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 居建华;神兆旭 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 谢安昆;宋志强 |
| 主权项 | 一种N型金属氧化物半导体的源漏区制造方法，该方法包括：在硅片的栅极结构两侧的半导体衬底上进行轻掺杂漏注入和口袋注入；所述口袋注入分两次进行，其中一次口袋注入注入的为轻原子量杂质，另一次口袋注入注入的为重原子量杂质；为栅极结构形成侧墙，并在所述侧墙两侧的半导体衬底上进行源漏注入。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||