锥状图形衬底的两次腐蚀制备方法

摘要

本发明提供了一种锥状图形衬底的两次腐蚀制备方法，包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上沉积二氧化硅层或氮化硅层，利用光刻法形成掩膜图形；(2)将带有二氧化硅或氮化硅掩膜的衬底放入加热后硫酸和磷酸混合溶液中进行第一次腐蚀，去掉衬底上的二氧化硅氮化硅掩膜层，用纯水清洗完；(3)将第一次腐蚀完的衬底放入混合溶液中进行第二次腐蚀，取出后用纯水清洗，即得到蓝宝石锥状图形衬底。本发明通过两次腐蚀制备出锥状图形衬底，解决了圆台状图形衬底生长外延不易长平，外延层晶体质量差的问题，同时也增加了出光面积。

主权项

一种锥状图形衬底的两次腐蚀制备方法，其特征是，包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上利用PECVD沉积0.1μm‑1μm的二氧化硅层或氮化硅层，利用光刻胶在掩膜层上刻出圆形图形，显影后，刻蚀掩膜层图形，然后按常规方法去掉光刻胶，形成掩膜图形；(2)配置硫酸和磷酸混合溶液，硫酸和磷酸的体积配比为3∶1‑20∶1，将硫酸和磷酸的混合溶液加热到230℃‑300℃稳定后，将带有二氧化硅或氮化硅掩膜的衬底放入硫酸和磷酸混合溶液中进行第一次腐蚀，腐蚀时间为1分钟‑30分钟，然后取出衬底用去纯水冲洗，然后用常规方法去掉衬底上的二氧化硅氮化硅掩膜层，再用纯水清洗完，即得到一次腐蚀的蓝宝石图形衬底；(3)继续稳定硫酸和磷酸的混合溶液的温度在230℃‑300℃，将第一次腐蚀完的衬底放入混合溶液中进行第二次腐蚀，即无掩膜层的腐蚀，腐蚀时间为1分钟‑30分钟，取出后用纯水清洗，即得到蓝宝石锥状图形衬底。