| 发明名称 | 光电装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供光电装置及其制造方法，该装置包括：基板；第一单元电池，位于上述基板上，且包括p型窗层、i型光电转换层以及n型层；中间反射膜，位于上述第一单元电池上，且包括以越远离光入射一侧碳或者氮浓度越变大的方式进行剖面分布的氢化n型微晶碳化硅或者氢化n型微晶氮化硅；第二单元电池，位于上述中间反射膜上，且包括p型窗层、i型光电转换层以及n型层。 | ||
| 申请公布号 | CN102005488A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN201010267654.2 | 申请日期 | 2010.08.31 |
| 申请人 | 韩国铁钢株式会社 | 发明人 | 明承烨 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人 | 邬玥;葛强 |
| 主权项 | 一种光电装置，包括：基板；第一单元电池，位于上述基板上，且包括p型窗层、i型光电转换层以及n型层；中间反射膜，位于上述第一单元电池上，且包括以越远离光入射一侧碳或者氮浓度越变大方式进行剖面分布的氢化n型微晶碳化硅或氢化n型微晶氮化硅；第二单元电池，位于上述中间反射膜上，且包括p型窗层、i型光电转换层以及n型层。 | ||
| 地址 | 韩国庆尙南道 | ||