| 发明名称 | 提高SONOS闪存器件可靠性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高SONOS闪存器件可靠性的方法；包括以下步骤：第一步，制备隧穿氧化层；第二步，第一次N2O退火；第三步，制备氮化硅陷阱层；第四步，制备高温热氧化层；第五步，第二次N2O退火。本发明所述第一次N2O退火是在隧穿氧化层形成后，引入的氮会修补界面处的悬挂键等不稳定状态，从而提高器件的可靠性。第二次退火是在高温氧化层HTO形成后，N2O退火可以进一步改善界面态，同时也会对高温氧化层HTO表面进行氮化，氮化之后的表面有更好的抗湿法刻蚀能力，从而提高SONOS闪存器件可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102005415A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN200910057870.1 | 申请日期 | 2009.09.03 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 林钢 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 孙大为 |
| 主权项 | 一种提高SONOS闪存器件可靠性的方法；其特征在于，包括以下步骤：第一步，制备隧穿氧化层；第二步，第一次N2O退火；第三步，制备氮化硅陷阱层；第四步，制备高温热氧化层；第五步，第二次N2O退火。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||