具有减少的热预算的结和硅化物的形成

摘要

在半导体衬底(1)上形成金属-硅化物层(12、13、14、18、19)的方法，该半导体衬底(1)包括至少一个掺杂剂区域(5)；该掺杂剂区域(5)包括超浅结区；该方法包括用于形成掺杂剂区域(5)的至少一个杂质注入工艺(IB_dopant)作为第一步骤；该方法包括用于在掺杂剂区域(5)上形成金属-硅化物层(12、13、18、19)的至少一个金属注入工艺(IB_metal)作为第二步骤，并且该方法包括在第一和第二步骤之后进行低温退火工艺作为第三步骤，其中同时地，激活所述掺杂剂区域(5)和形成金属-硅化物层(12、13、14、18、19)。

主权项

制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底(1)上形成金属‑硅化物层(12a、12b、13、14、18、19)的步骤，所述半导体衬底(1)包括至少一个掺杂剂区域(5)；所述掺杂剂区域(5)包括一个超浅结区；所述方法包括用于形成所述掺杂剂区域(5)的至少一个杂质注入工艺(IB_dopant)作为第一步骤；所述方法包括用于在所述掺杂剂区域(5)上形成所述金属‑硅化物层(12、13、18、19)的至少一个金属注入工艺(IB_metal)作为第二步骤，其特征在于所述方法设置成在所述第一和所述第二步骤之后执行：低温退火工艺作为第三步骤，其中同时地，激活所述掺杂剂区域(5)和形成所述金属‑硅化物层(12a、12b、13、14、18、19)，所述低温退火工艺是固相外延再生长工艺，在所述低温退火工艺期间，所述金属‑硅化物层以与半导体衬底相同的晶体结构外延再生长，并且形成金属‑di‑硅化物。