| 发明名称 | 存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器件包括多个串联的存储晶体管，其中源/漏区和其间的沟道区是第一类型，以及在该多个串联的存储晶体管的每个端部的选择晶体管，其中该每个选择晶体管的沟道区是第一类型。该第一类型可以是n-型或p-型。该非易失性存储器还可以包括在一个选择晶体管和多个串联的存储晶体管之间的多个串联的存储晶体管一端的第一虚拟选择晶体管，以及在另一选择晶体管和多个串联的存储晶体管之间的多个串联的存储晶体管的另一端的第二虚拟选择晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN101197379B | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN200710198817.4 | 申请日期 | 2007.12.07 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李昌炫;崔正达 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;G06F13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 黄启行;穆德骏 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器，包括：多个串联的存储晶体管，其中源/漏区和其间的沟道区是第一类型；以及选择晶体管，位于多个串联的存储晶体管的每个端部，其中每个选择晶体管的沟道区是第一类型，其中多个存储晶体管的绝对阈值电压低于每个选择晶体管的绝对阈值电压。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||