CMP用研磨液及研磨方法

摘要

本发明提供一种CMP用研磨液，其特征在于，其是在第1化学机械研磨工序后，在第2化学机械研磨工序中使用的CMP用研磨液，所述工序研磨的基板包含：表面包括凹部和凸部的层间绝缘膜、沿表面覆盖所述层间绝缘膜的阻挡层、填充所述凹部而覆盖阻挡层的导电性物质层，其中，第1化学机械研磨工序为：研磨基板的导电性物质层，使所述凸部的阻挡层露出，第2化学机械研磨工序为：研磨露出的阻挡层，使得所述凸部的层间绝缘膜露出；其中，研磨量(A)与研磨量(B)的差(B)-(A)为以下，所述研磨量(A)是形成于所述基板的层间绝缘膜部具有1000μm以上宽度的场部的层间绝缘膜的研磨量；所述研磨量(B)是形成于所述基板的宽90μm的配线金属部与宽10μm的层间绝缘膜交互排列的条纹状图形部的层间绝缘膜的研磨量。

主权项

1.一种CMP用研磨液，其特征在于，其是在第1化学机械研磨工序后，在第2化学机械研磨工序中使用的CMP用研磨液，所述工序研磨的基板包含：表面包括凹部和凸部的层间绝缘膜、沿表面覆盖所述层间绝缘膜的阻挡层、填充所述凹部而覆盖阻挡层的导电性物质层，其中，第1化学机械研磨工序为：研磨基板的导电性物质层，使所述凸部的阻挡层露出，第2化学机械研磨工序为：在将所述基板压在聚氨酯湿式发泡型研磨垫上的状态下，一边在所述垫与基板之间供给研磨液，一边通过使研磨盘与上述基板相对运动，研磨在所述第1化学机械研磨工序中露出的阻挡层，使得所述凸部的层间绝缘膜露出；其中，场部的层间绝缘膜的研磨量(A)与条纹状图形部的层间绝缘膜的研磨量(B)之间的差(B)-(A)为以下，其中，该研磨量(A)是形成在所述基板上的层间绝缘膜部的宽度在1000μm以上的场部的层间绝缘膜的研磨量为以上时的场部的层间绝缘膜的研磨量，该研磨量(B)是，形成在所述基板上的层间绝缘膜部的宽度在1000μm以上的场部的层间绝缘膜的研磨量为以上时，形成在所述基板上的宽度为90μm的配线金属部与宽度为10μm的层间绝缘膜部交替排列而成的总宽度在1000μm以上的条纹状图形部的层间绝缘膜的研磨量；所述的CMP用研磨液，含有具有减少所述研磨量的差(B)-(A)的作用的添加剂。