| 主权项 |
一种光阻图案形成方法，系具备：在基板表面涂布化学增幅型光阻剂之步骤，及对前述被处理基板表面的前述化学增幅型光阻剂层照射荷电粒子线之步骤，及加热处理前述荷电粒子线照射后的化学增幅型光阻剂层的步骤，以及将前述化学增幅型光阻剂施以显影处理进行图案化的步骤之光阻图案形成方法，其特征为：前述化学增幅型光阻剂，含有酸扩散抑制剂；前述酸扩散抑制剂之添加量，系对化学增幅型光阻剂之光酸发生剂为0.01~30莫耳百分比的范围。一种光阻图案形成方法，系具备：在基板表面涂布化学增幅型光阻剂之步骤，及对前述被处理基板表面的前述化学增幅型光阻剂层照射荷电粒子线之步骤，及加热处理前述荷电粒子线照射后的化学增幅型光阻剂层的步骤，以及将前述化学增幅型光阻剂施以显影处理进行图案化的步骤之光阻图案形成方法，其特征为：前述化学增幅型光阻剂，含有酸扩散抑制剂；前述酸发生剂之添加量，系对全固形物份量为0.1~30重量份的范围。一种光阻图案形成方法，系具备：在基板表面涂布化学增幅型光阻剂之步骤，及对前述被处理基板表面的前述化学增幅型光阻剂层照射荷电粒子线之步骤，及加热处理前述荷电粒子线照射后的化学增幅型光阻剂层的步骤，以及将前述化学增幅型光阻剂施以显影处理进行图案化的步骤之光阻图案形成方法，其特征为：前述化学增幅型光阻剂，含有酸扩散抑制剂；前述酸扩散抑制剂，系由三级胺、苯甲基氨基甲酸酯类、二苯基乙醇酮氨基甲酸酯类、o-氨基甲醯羟基胺类、o-氨基甲醯肟(oxime)类、及二硫代氨基甲酸酯四级铵盐所构成的群中选出者。如申请专利范围第1~3项之任一项之光阻图案形成方法，其中于前述荷电粒子线照射步骤使产生照射的荷电粒子线所需要的电流密度，为50~5000A/cm2之范围。如申请专利范围第1~3项之任一项之光阻图案形成方法，其中于使被形成于前述光阻的潜像显影化的显影步骤，使用硷性显影液。如申请专利范围第1~3项之任一项之光阻图案形成方法，其中使用荷电粒子线曝光装置进行照射前述荷电粒子线的步骤。如申请专利范围第1~3项之任一项之光阻图案形成方法，其中前述荷电粒子线为电子束。如申请专利范围第6项之光阻图案形成方法，其中前述荷电粒子线曝光装置，是可以增加电子束的照射电流密度之装置。一种荷电粒子线描画方法，其特征为使用前述申请专利范围第1项之化学增幅型光阻剂，进行遮罩描画。如申请专利范围第9项之荷电粒子线描画方法，其中前述遮罩描画，使用可以增加电子束的照射电流密度之装置进行的。 |
