发明名称 用以实施双曝光微影制程之方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.04.01
申请号 TW094145072 申请日期 2005.12.19
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 朴赞河
分类号 G03F1/14 主分类号 G03F1/14
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 一种用以实施双曝光微影制程之方法,包括:提供一光罩,该光罩具有:第一区域,系上面有形成为垂直线图案的数个第一光罩图案,该等垂直线图案彼此配置在x方向上;及第二区域,系上面有形成为水平线图案的数个第二光罩图案,该等水平线图案彼此配置在y方向上;将该光罩之该第一区域对位而涵盖一基板的一预定区域;藉由用以将该等第一光罩图案曝光之偶极X照明来实施一第一曝光制程,以将该基板的该预定区域曝光;移动该光罩以将该光罩之该第二区域对位而涵盖该基板之整个预定区域,其中以使该等第二光罩图案不会重叠在该等已曝光的第一光罩层图案上的方式移动该光罩;以及藉由用以将该等第二光罩图案曝光之偶极Y照明来实施一第二曝光制程以将该基板的该预定区域曝光;其中藉由该第一曝光制程及该第二曝光制程来将对应于该等第一光罩图案之数个第一光阻图案、及对应于该等第二光罩图案之数个第二光阻图案分别形成在该基板之该预定区域。
地址 南韩