| 主权项 |
一种在烷化反应区中制备单烷化芳族化合物的方法，该方法包括下列步骤：(a)于该烷化反应区提供可烷化芳族化合物、烷化剂、及催化性粒状材料，及(b)使该可烷化芳族化合物及该烷化剂与该催化性粒状材料在维持在烷化条件下之该烷化反应区中接触，以形成由该单烷化芳族化合物组成之产物，其中至少51重量%该催化性粒状材料具有表面积对体积之比大于79 cm-1，以及其中该产物包括多烷化芳族化合物，且在该产物中该多烷化芳族化合物对该单烷化芳族化合物之莫耳比，相较于当至少51重量%该催化性粒状材料具有表面积对体积之比在78与79 cm-1之间且该烷化反应区在相同烷化条件操作下所得该多烷化芳族化合物对该单烷化芳族化合物之莫耳比，系降低至少9%。如申请专利范围第1项之方法，其中至少51重量%该催化性粒状材料具有表面积对体积之比大于236cm-1。如申请专利范围第1项之方法，其中至少51重量%该催化性粒状材料具有表面积对体积之比大于1575cm-1。如申请专利范围第1项之方法，其中至少51重量%该催化性粒状材料具有表面积对体积之比大于3150cm-1。如申请专利范围第1项之方法，其中该催化性粒状材料系由选自如下方法制得：喷雾乾燥、压碎、切碎(chopping)、挤压、筛分、降低所形成触媒之尺寸、或其任何组合。如申请专利范围第1项之方法，其中该催化性粒状材料包括分子筛，其具有沟槽尺寸大于5埃。如申请专利范围第6项之方法，其中该分子筛为MCM-22类材料。如申请专利范围第7项之方法，其中该MCM-22类材料系选自ERB-1、ITQ-1、PSH-3、SSZ-25、MCM-22、MCM-36、MCM-49、MCM-56、及其组合物。如申请专利范围第6项之方法，其中该分子筛具有选自＊BEA、MWW及FAU之架构结构。如申请专利范围第1项之方法，其中该烷化条件包括温度为20℃至400℃、压力为20.3至4800 kPa-a、基于该烷化剂之重量计之WHSV为0.1至500 h-1、及该可烷化化合物对该烷化剂之莫耳比为0.1：1至50：1。如申请专利范围第1项之方法，其中该单烷化芳族化合物包括乙苯，该可烷化芳族化合物包括苯，及该烷化剂包括乙烯。如申请专利范围第1项之方法，其中该单烷化芳族化合物包括异丙苯，该可烷化芳族化合物包括苯，及该烷化剂包括丙烯。如申请专利范围第1项之方法，其中该单烷化芳族化合物包括第二丁基苯，该可烷化芳族化合物包括苯，及该烷化剂包括丁烯。如申请专利范围第1项之方法，其中该产物包括多烷化芳族化合物，进一步包括步骤：(c)自该产物分离该多烷化芳族化合物以形成转烷化进料流；及(d)使至少一部分该转烷化进料流与包括可烷化芳族化合物之原料在转烷化触媒之存在下接触，以在维持于转烷化条件下之转烷化反应区中产生转烷化流出物，该转烷化流出物包括该单烷化芳族化合物。如申请专利范围第14项之方法，其中该转烷化触媒包括选自如下之分子筛：MCM-22、MCM-36、MCM-49、MCM-56、β沸石、八面沸石、丝光沸石、TEA-丝光沸石、PSH-3、SSZ-25、ERB-1、ITQ-1、ITQ-2、沸石Y、超稳定Y(USY)、脱铝Y(Dealuminized Y)、稀土交换之Y(REY)、ZSM-3、ZSM-4、ZSM-18、ZSM-20、及其组合物。如申请专利范围第14项之方法，其中该转烷化条件包括温度为100至300℃及压力为696至4137 kPa-a、基于该多烷化芳族化合物重量计之WHSV为0.5至200 h-1、该可烷化芳族化合物对该多烷化芳族化合物之莫耳比为0.5：1至30：1。如申请专利范围第11项之方法，其中该烷化条件包括温度为100℃至285℃、压力为689至4601 kPa-a、基于该烷化剂重量计之WHSV为0.1至200 h-1、及该可烷化化合物对该烷化剂之莫耳比为0.1：1至10：1。如申请专利范围第12项之方法，其中该适当烷化条件包括温度为20℃至200℃、压力为680至4800 kPa-a、基于该烷化剂之重量计之WHSV为0.1至200 h-1、及该可烷化化合物对该烷化剂之莫耳比为0.1：1至50：1。一种制备单烷化芳族化合物之方法，其适用于更新(retrofit)配备具有至少一烷化反应区之蒸气相、液相或混合相烷化反应器之现存乙苯或异丙苯设备，其包括步骤：(a)在该烷化反应区提供可烷化芳族化合物、烷化剂、及催化性粒状材料，以及(b)使该可烷化芳族化合物及该烷化剂与该催化性粒状材料在维持于烷化条件下之该烷化反应区中接触，以形成由该单烷化芳族化合物及多烷化芳族化合物所组成之产物，其中至少51重量%该催化性粒状材料具有表面积对体积之比大于79 cm-1，以及其中该产物包括多烷化芳族化合物，且在该产物中该多烷化芳族化合物对该单烷化芳族化合物之莫耳比，相较于当至少51重量%该催化性粒状材料具有表面积对体积之比在78与79 cm-1之间且该烷化反应区在相同烷化条件操作下所得该多烷化芳族化合物对该单烷化芳族化合物之莫耳比，系降低至少9%。如申请专利范围第1项之方法，其中该催化性粒子材料包括分子筛，及该分子筛为MCM-22类材料，该MCM-22类材料之特征为具有包括d-间距最大在12.4±0.25、3.57±0.07及3.42±0.07埃之X射线绕射图案。如申请专利范围第19项之方法，其中该催化性粒子材料包括分子筛，及该分子筛为MCM-22类材料，该MCM-22类材料之特征为具有包括d-间距最大在12.4±0.25、3.57±0.07及3.42±0.07埃之X射线绕射图案。 |
