发明名称 Halbleiterspeichereinrichtung
摘要 ein logischer Schnittstellenblock, ein Kontaktblock, ein Eingabe-/Ausgabe- und interner Taktsignalerzeugungsblock, ein Datenschiebeblock und ein zweiter Speicherblock sequentiell in einer axialen Richtung des Chips angeordnet. Demgemäß sind die Längen von Datenleitungen zum Übertragen von Daten zwischen einer Dateneingabe-/Datenausgabeeinheit des Eingabe-/Ausgabe- und internen Taktsignalerzeugungsblocks und dem Datenschiebeblock kurz, so dass eine Last auf den Datenleitungen relativ klein ist, wodurch ein Verlust an Datenübertragungsgeschwindigkeit und eine Energieaufnahme verringert sind. Darüber hinaus sind die Datenleitungen nicht zwischen Kontakten des Kontaktblocks verlegt, wodurch vermieden wird, dass die Fläche des Chips in einer anderen axialen Richtung des Chips vergrößert wird. Bei dem bereitgestellten Rambus-DRAM ist der Abstand zwischen dem ersten Speicherblock in dem Kontaktblock gleich zu dem Abstand zwischen dem Kontaktblock und dem zweiten Speicherblock, so dass Rambus-DRAMs auf einem Modul-Board mit hoher Genauigkeit gekapselt werden können, wenn sie in ein Modul eingebracht werden.
申请公布号 DE10033826(B4) 申请公布日期 2011.03.31
申请号 DE20001033826 申请日期 2000.07.12
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 MOON, BYUNG-MO;HWANG, HONG-SUN
分类号 G11C5/02;G11C7/00;G11C11/407;G11C11/4097 主分类号 G11C5/02
代理机构 代理人
主权项
地址