METHOD AND DEVICE FOR ETCHING BACK A SEMICONDUCTOR LAYER
摘要
<p>Verfahren zum wenigstens teilweisen Rückätzen einer Halbleiterschicht (1) eines Substrats (3), bei welchem das Substrat (3) zumindest teilweise in einer Ätzlösung (5) angeordnet wird und bei welchem außerhalb der Ätzlösung (5) gelegene Bereiche der Halbleiterschicht (3) mittels der Ätzlösung (5) entstammender reaktiver Dämpfe (11) wenigstens zum Teil abgetragen werden sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.</p>
