Verfahren und Vorrichtung mit SOI-Substratdotierung

摘要

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Verwenden eines SOI-Substrats mit einem Bulksubstrat, einer vergrabenen Isolierschicht und einer aktiven Schicht und Implantieren des Bulksubstrats von der Seite der Isolierschicht und der aktiven Schicht und durch diese hindurch, um einen Bereich mit einer erhöhten Dotierungskonzentration in dem Bulksubstrat an der Schnittstelle zwischen dem Bulksubstrat und der Isolierschicht zu bilden.