集成电路的形成方法

摘要

本发明提供一种集成电路的形成方法。上述集成电路的形成方法包括提供一半导体晶片，以及形成一金属氧化物半导体元件。形成金属氧化物半导体元件的步骤包括于半导体晶片上形成一栅极堆叠结构；于半导体晶片的温度低于0℃时进行一低温注入工艺，以形成一注入区，其相邻于半导体晶片上的栅极堆叠结构，其中进行一低温注入工艺的步骤择自下列所组成的族群：注入半导体基板，以形成一非晶化注入区；注入半导体基板，以形成一轻掺杂源/漏极区；注入半导体基板，以形成一环状/口袋区；注入半导体基板，以形成一重掺杂源/漏极区以及上述组合。本发明可降低集成电路元件的注入区中掺质的任意变动，降低漏电，且增加注入区中掺质的活化程度。

主权项

一种集成电路的形成方法，包括下列步骤：提供一半导体晶片；以及利用一低温注入工艺注入该半导体基板，以形成一注入区。