发明名称 |
SOI晶片及其形成方法 |
摘要 |
一种SOI晶片及其形成方法。其中SOI晶片的形成方法,包括:提供单晶硅片,所述单晶硅片上形成有掩膜层;刻蚀掩膜层和单晶硅片,形成若干沟槽;在沟槽侧壁及底部形成第一绝缘层;刻蚀去除沟槽底部第一绝缘层;沿沟槽刻蚀沟槽下方的单晶硅片,形成空洞;处理空洞内壁,形成第二绝缘层;在沟槽及空洞内填充满绝缘物质层。本发明工艺简单,制作成本低,形成的SOI晶片的质量高,并与标准体硅CMOS工艺制程兼容。 |
申请公布号 |
CN101996922A |
申请公布日期 |
2011.03.30 |
申请号 |
CN200910165230.2 |
申请日期 |
2009.08.13 |
申请人 |
江苏丽恒电子有限公司 |
发明人 |
黄河 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
吴靖靓;李丽 |
主权项 |
一种SOI晶片的形成方法,其特征在于,包括:提供单晶硅片,所述单晶硅片上形成有掩膜层;刻蚀掩膜层和单晶硅片,形成若干沟槽;在沟槽侧壁及底部形成第一绝缘层;刻蚀去除沟槽底部第一绝缘层;沿沟槽刻蚀沟槽下方的单晶硅片,形成空洞;处理空洞内壁,形成第二绝缘层;在沟槽及空洞内填充满绝缘物质层。 |
地址 |
211009 江苏省镇江市高新技术产业开发园区经十二路668号211室 |