包括受应力的栅极金属硅化物层的高性能MOSFET及其制作方法

摘要

本发明涉及包括至少一个场效应晶体管(FET)的半导体器件，所述场效应晶体管包括源区、漏区、沟道区、栅极电介质层、栅电极和一个或更多栅极侧壁间隔层。这种FET的栅电极包含受内部应力的栅极金属硅化物层，该栅极金属硅化物层在横向上由一个或更多栅极侧壁间隔层限制，并且被布置和构造用于在FET的沟道区内产生应力。优选地，所述半导体器件包括至少一个p沟道FET，并且更加优选地，所述p沟道FET包括具有受内部应力的栅极金属硅化物层的栅电极，该栅极金属硅化物层在横向上由一个或更多栅极侧壁间隔层限制，并且被布置和构造用于在FET的p沟道内产生压应力。

主权项

一种位于半导体衬底中的半导体器件，包括至少一个场效应晶体管，所述场效应晶体管包括源区、漏区、沟道区、栅极电介质层、栅电极和一个或更多栅极侧壁间隔层，其中所述栅电极包括受内部应力的栅极金属硅化物层，所述栅极金属硅化物层在横向上由所述一个或更多栅极侧壁间隔层限制，并且被布置和构造用于在所述场效应晶体管的沟道区中产生应力，其中所述至少一个场效应晶体管是p沟道场效应晶体管，其中受内部应力的栅极金属硅化物层被布置和构造用于在所述p沟道场效应晶体管的沟道区内产生压应力，其中进一步包括至少一个n沟道场效应晶体管，所述n沟道场效应晶体管包括具有栅极金属硅化物层的栅电极，所述栅极金属硅化物层在一个或更多栅极侧壁间隔层之上突出。