利用单一金属化的焊盘下的器件

摘要

本发明涉及利用单一金属化的焊盘下的器件，提供包含改进的焊盘结构的集成电路器件。该器件具有半导体衬底。多个有源MOS器件形成在半导体衬底上。该器件具有上覆于多个有源MOS器件的层间电介质层和形成在层间电介质层上以及至少一个有源器件的直接上方的至少一个单一金属焊盘。在正方形的至少一个单一金属焊盘上形成至少四个边角区域。在四个边角区域的每一个上形成成角度切除区域。优选地，成角度切除区域处在至少一个单一金属焊盘的正方形的周边。在至少一个单一金属焊盘上方形成具有开口的钝化层。该器件具有在多个有源MOS器件和至少一个单一金属焊盘之间的无缓冲金属层区域。无缓冲金属层区域处在整个的层间电介质层中。在单一金属焊盘下面，层间电介质层基本不含缓冲金属层。

主权项

一种集成电路器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的多个有源MOS器件；上覆于所述多个有源MOS器件的层间电介质层；在所述层间电介质层中形成的至少六个图案化的金属层；形成在所述层间电介质层上且在至少一个所述有源器件的直接上方的至少一个单一金属焊盘；形成在所述至少一个单一金属焊盘的上方的具有一个开口的钝化层；所述多个有源MOS器件和所述至少一个单一金属焊盘之间的无缓冲金属层区域，所述无缓冲金属层区域在整个的所述层间电介质层之中；其中，在所述单一金属焊盘的下面，所述层间电介质层基本不含所述缓冲金属层。