半导体发光装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置包括发光部，以及在发光部上形成的电极。该电极包括：光反射层，被配置为反射从发光部所发出的光并且包括第一金属；第一籽晶层，直接形成在光反射层上并且包括第二金属；第二籽晶层，至少涂覆光反射层和第一籽晶层的侧表面，第二籽晶层包括第三金属；以及电镀层，至少涂覆第二籽晶层的顶部表面和侧表面，电镀层包括第四金属。

主权项

一种半导体发光装置，包括：发光部；以及电极，在所述发光部上形成，所述电极包括：光反射层，被配置为反射从所述发光部所发出的光，并且包括第一金属，第一籽晶层，直接形成在所述光反射层上，并且包括第二金属，第二籽晶层，至少涂覆所述光反射层和所述第一籽晶层的侧表面，所述第二籽晶层包括第三金属，以及电镀层，至少涂覆所述第二籽晶层的顶部表面和侧表面，所述电镀层包括第四金属。