| 发明名称 | 去除阻挡层和金属层中污染物颗粒的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种去除阻挡层和金属层中污染物颗粒的方法，该方法包括：采用干法蚀刻工艺对掺杂有污染物颗粒的金属层和阻挡层进行蚀刻，并蚀刻至介质层表面；采用化学机械研磨工艺CMP对部分厚度的介质层进行研磨去除。采用该方法能够降低半导体器件的生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101996882A | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN200910056664.9 | 申请日期 | 2009.08.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 潘继岗;彭澎 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种去除阻挡层和金属层中污染物颗粒的方法，该方法包括以下步骤：采用干法蚀刻工艺对掺杂有污染物颗粒的金属层和阻挡层进行蚀刻，并蚀刻至介质层表面；采用化学机械研磨工艺CMP对部分厚度的介质层进行研磨去除。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||