| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一源极/漏极区域；一预定区域，连接该源极/漏极区域；以及一光致抗蚀剂保护氧化物层，形成于该预定区域上方，其中该光致抗蚀剂保护氧化物层所含氮的原子百分比为0.35或更小。 | ||
| 申请公布号 | CN101162725B | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN200710180918.9 | 申请日期 | 2007.10.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 梁耀祥;郑文功;范振朋;陈明贤;陈盈彰;杨荣成;何文郁;李肇耿 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制造方法，包括下列步骤：形成一晶体管于衬底上，该晶体管包括一形成于该衬底上的晶体管栅极以及与该晶体管栅极邻接的至少一个导电区域；以及使用SiH2Cl2与含氮的化学品，形成一光致抗蚀剂保护氧化物层于一与该晶体管连接的预定区域上方，其中该光致抗蚀剂保护氧化物层所含氮的原子百分比为0.35或更小，该预定区域包括一感光二极管区域。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||