| 发明名称 | MOS晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS晶体管及其制作方法。其中MOS晶体管的制作方法，包括：提供带有栅极结构的半导体衬底，所述栅极结构包含栅极介电层、栅极和金属硅化物层；形成包围栅极结构的氧化层；以栅极结构为掩模，在栅极两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成浅掺杂源/漏极延伸区，所述离子注入的方向与垂直半导体衬底表面方向之间有角度；在栅极结构两侧形成侧墙后，在栅极结构及侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏极。本发明有效解决短沟道区的击穿电压，进而有效改善饱和电流的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101996885A | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN200910056276.0 | 申请日期 | 2009.08.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张艳红 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供带有栅极结构的半导体衬底，所述栅极结构包含栅极介电层、栅极和金属硅化物层；形成包围栅极结构的氧化层；以栅极结构为掩模，在栅极两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成浅掺杂源/漏极延伸区，所述离子注入的方向与垂直半导体衬底表面方向之间有角度；在栅极结构两侧形成侧墙后，在栅极结构及侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||