半导体集成电路及其制造方法

摘要

一种半导体集成电路及其制造方法，其可以实现较高的制造成品率，并且补偿CMOS型SRAM的MOS晶体管的阈值电压的标准离差。在SRAM的信息保存工作和写入工作和读出工作的任一有源模式下，对SRAM存储单元的MOS晶体管的衬底(阱)施加衬底偏压(Vbp、Vbn)。首先，测定SRAM的PMOS和NMOS的晶体管的阈值电压。根据测定结果，编程控制存储器(Cnt_MM1、2)的控制信息(Cnt_Sg1、2)。利用程序调整衬底偏压(Vbp、Vbn)的电平，CMOS型SRAM的MOS晶体管的阈值电压的标准离差被控制在规定的误差范围内。相对于施加给MOS晶体管的源极的工作电压，对MOS晶体管的衬底施加反偏置、或者极弱正偏置的衬底偏压。

主权项

一种半导体集成电路，在芯片内部包括CMOS型内置SRAM，所述CMOS型内置SRAM的存储单元包括一对驱动NMOS、一对负载PMOS和一对传输NMOS，所述半导体集成电路还包括：内置SRAM用控制开关，至少在信息保存工作、写入工作和读出工作的任一有源模式下，分别向所述CMOS型内置SRAM的多个PMOS的N阱和多个NMOS的P阱提供PMOS衬底偏压和NMOS衬底偏压；以及内置SRAM用控制存储器，存储内置SRAM用控制信息，该控制信息指示是否从所述内置SRAM用控制开关分别向所述CMOS型内置SRAM的所述多个PMOS的所述N阱和所述多个NMOS的所述P阱提供所述PMOS衬底偏压和所述NMOS衬底偏压。