| 发明名称 | 保护装置 | ||
| 摘要 | 一种保护装置。该装置具有第一MOSFET(Q10)，第二MOSFET(Q11)和第三JFET(Q12)，它们的导电通路与位于MOSFET(Q10，Q11)之间的JFET(Q12)串联。第一MOSFET(Q10)的源极连接到第二MOSFET(Q11)的栅极，而第二MOSFET(Q11)的源极连接到第一MOSFET(Q10)的栅极。MOSFET(Q10，Q11)与JFET(Q12)一同形成可连接在输入和输出之间的一个可变电阻电路块。JFET(Q12)的栅极由分别的电流源连接到输入和输出。 | ||
| 申请公布号 | CN1643759B | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN03806127.9 | 申请日期 | 2003.02.12 |
| 申请人 | 福尔泰克半导体公司 | 发明人 | 理查德·A·哈里斯 |
| 分类号 | H02H3/14(2006.01)I;H03K17/00(2006.01)I;G01R1/36(2006.01)I | 主分类号 | H02H3/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 郭思宇 |
| 主权项 | 一种限流保护装置，其具有第一端和第二端、第一耗尽型FET、第二耗尽型FET以及连接在所述第一和第二耗尽型FET之间的第三耗尽型FET，所述第一、第二和第三耗尽型FET的导电通道串联连接以在第一端和第二端之间传送电流，第一耗尽型FET的栅极连接到第二耗尽型FET的源极，第一耗尽型FET的漏极连接到第一端，第二耗尽型FET的栅极连接到第一耗尽型FET的源极，第二耗尽型FET的漏极连接到第二端，从而当第一、第二和第三耗尽型FET导通时，第一、第二和第三耗尽型FET的串联连接允许电流在低电阻条件下在第一端和第二端之间流过，其中第三耗尽型FET的栅极连接到第一电流源，所述第一电流源直接连接到第一耗尽型FET的漏极，并且其中第三耗尽型FET的栅极直接连接到第二电流源，所述第二电流源直接连接到第二耗尽型FET的漏极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||