| 发明名称 | 半导体结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括下列步骤：提供一基底；于该基底上形成一导电层；于该导电层上形成一第一图案化掩模层；移除该第一图案化掩模层露出的该导电层，使该导电层的一第一侧边露出；以该第一图案化掩模层作为屏蔽进行掺杂步骤，以于该基底中形成一掺杂区；移除该第一图案化掩模层；于该导电层上形成一第二图案化掩模层；移除该第二图案化掩模层露出的该导电层，使该导电层相对于该第一侧边的一第二侧边露出；以及移除该第二图案化掩模层。 | ||
| 申请公布号 | CN101996936A | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN200910161758.2 | 申请日期 | 2009.08.14 |
| 申请人 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 发明人 | 罗文勋;刘兴潮;陈进东;黄柏舜 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 任默闻 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：提供一基底；于所述的基底上形成一导电层；于所述的导电层上形成一第一图案化掩模层；移除所述的第一图案化掩模层露出的所述的导电层，使该导电层的一第一侧边露出；以所述的第一图案化掩模层作为屏蔽进行掺杂步骤，以于所述的基底中形成一掺杂区；移除所述的第一图案化掩模层；于所述的导电层上形成一第二图案化掩模层；移除所述的第二图案化掩模层露出的所述的导电层，使该导电层相对于所述的第一侧边的一第二侧边露出；以及移除所述的第二图案化掩模层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||