发明名称 电力半导体元件
摘要 本发明的一形态的电力半导体元件,在第一导电型的第一半导体层上,通过在沿着其表面的第一方向上周期性地重复而配置着第一导电型的第二半导体层及第二导电型的第三半导体层。在第一半导体层上形成着与其电气连接的第一主电极。第二导电型的第四半导体层以与第三半导体层连接的方式设置着。在所述第四半导体层表面,选择性地设置着第一导电型的第五半导体层。在第四半导体层及第五半导体层的表面,设置着与其电气连接的第二主电极。在第四半导体层、所述第五半导体层及所述第二半导体层的表面隔着栅极绝缘膜设置着控制电极。在第二半导体层中,形成着填埋沟槽而设置的第一绝缘膜。
申请公布号 CN101997034A 申请公布日期 2011.03.30
申请号 CN201010263767.5 申请日期 2010.08.25
申请人 株式会社东芝 发明人 斋藤涉;小野升太郎;薮崎宗久;羽田野菜名;渡边美穗
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 主分类号 H01L29/78(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 徐殿军
主权项 一种电力半导体元件,其特征在于,包括:第一导电型的第一半导体层;第一导电型的第二半导体层及第二导电型的第三半导体层,设置在所述第一导电型的第一半导体层上,且通过在沿着所述第一半导体层表面的第一方向上周期性地重复而配置;第一主电极,与所述第一半导体层电气连接;第二导电型的第四半导体层,以与所述第三半导体层连接的方式设置;第一导电型的第五半导体层,选择性地设置在所述第四半导体层表面;第二主电极,设置在所述第四半导体层及所述第五半导体层的表面;控制电极,隔着栅极绝缘膜设置在所述第四半导体层、所述第五半导体层及所述第二半导体层的表面;以及多个第一绝缘膜,将形成于所述第二半导体层中的沟槽填埋而设置。
地址 日本东京都