氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置

摘要

本发明涉及一种氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置。提供一种能够提高发光效率的氮化物半导体元件。该氮化物半导体激光元件(氮化物半导体元件)具备：具有生长主面的GaN基板、在该GaN基板的生长主面上形成且具有包含阱层和势垒层的量子阱结构的有源层，所述生长主面由相对m面在a轴方向具有倾斜角的面构成，势垒层由包含Al的氮化物半导体即AlGaN构成。

主权项

一种氮化物半导体元件，其特征在于，具备：具有生长主面的氮化物半导体基板、在所述氮化物半导体基板的生长主面上形成且具有包含阱层和势垒层的量子阱结构的有源层，所述生长主面由相对m面在a轴方向具有倾斜角的面构成，所述势垒层由包含Al的氮化物半导体构成。