| 发明名称 | 半导体器件及半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括以下步骤：(a)在基板上形成栅极电极、在所述基板中形成源极/漏极区域及沟道形成区域、以及在所述源极/漏极区域上形成顶面高度与所述栅极电极的顶面高度相等的第一层间绝缘层；之后，(b)在所述第一层间绝缘层中形成凹槽形状的第一接触部，所述第一接触部连接至所述源极/漏极区域；之后，(c)在整个表面上形成第二层间绝缘层；之后，(d)在所述第二层间绝缘层的位于所述第一接触部上的各部分中形成孔形状的第二接触部；并且之后，(e)在所述第二层间绝缘层上形成布线，各所述布线分别连接至各所述第二接触部。本发明适合于微细化工艺，并允许进行更自由的布线设计。 | ||
| 申请公布号 | CN101996874A | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN201010250777.5 | 申请日期 | 2010.08.11 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 黛哲 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 陈桂香;武玉琴 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，所述方法包括以下步骤：步骤a，在基板上形成栅极电极、在所述基板中形成源极/漏极区域及沟道形成区域、以及在所述源极/漏极区域上形成顶面高度与所述栅极电极的顶面高度相等的第一层间绝缘层；之后，步骤b，在所述第一层间绝缘层中形成凹槽形状的第一接触部，所述第一接触部连接至所述源极/漏极区域；之后，步骤c，在整个表面上形成第二层间绝缘层；之后，步骤d，在所述第二层间绝缘层的位于所述第一接触部上的各部分中形成孔形状的第二接触部；并且之后，步骤e，在所述第二层间绝缘层上形成布线，各所述布线分别连接至各所述第二接触部。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||