发明名称 用于制造端子结构的方法和用于制造电子器件的方法
摘要 用于制造端子结构的方法和用于制造电子器件的方法,为了提供用于使用除激光束照射之外的手段在暴露端子部分(用绝缘膜密封)的步骤中在该绝缘膜(其通过固化包括增强材料的半固化片而获得)中高准确度地形成开口的方法。突出物使用导体形成。包括增强材料的未固化的半固化片紧密贴附到该突出物并且该半固化片固化,使得包括该增强材料的绝缘膜形成。该绝缘膜的顶面的一部分由于该突出物而突出。该突出部分连同增强材料通过研磨处理等优先去除以在绝缘膜中形成开口,使得暴露突出物的开口在绝缘膜中形成。
申请公布号 CN101996904A 申请公布日期 2011.03.30
申请号 CN201010254914.2 申请日期 2010.08.06
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 滨谷敏次;福留贵浩
分类号 H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 朱海煜;徐予红
主权项 一种用于制造端子结构的方法,其包括步骤:在绝缘表面上形成使用导体形成的突出物;贴附包括增强材料的半固化片到所述绝缘表面和所述突出物的表面以形成所述半固化片的顶面的一部分,其由于所述突出物而突出;固化贴附到所述绝缘表面和所述突出物的表面的所述半固化片以形成包括所述增强材料的绝缘膜;以及去除所述绝缘膜的顶面的突出部分连同所述增强材料以在所述绝缘膜中形成开口。
地址 日本神奈川县厚木市