锑基CMOS器件

摘要

一种可以具有NMOS和PMOS部分的III-V族材料CMOS器件，所述NMOS部分和PMOS部分的各层中的若干层基本相同。这使得可以容易地制造所述CMOS器件，并防止所述NMOS和PMOS部分之间的热膨胀系数失配。

主权项

一种具有NMOS部分和PMOS部分的CMOS器件，所述NMOS部分和PMOS部分中的每一个包括：衬底上的成核层，包括锑化铝；所述成核层上的第一缓冲层，包括锑化铝；底部阻挡层，所述底部阻挡层包括锑化铟铝；所述底部阻挡层上的量子阱沟道，所述量子阱沟道包括锑化铟；所述量子阱沟道上的间隔体层；以及所述间隔体层上的δ‑掺杂层，所述NMOS部分中的所述δ‑掺杂层与所述PMOS部分中的所述δ‑掺杂层包括不同的掺杂剂；所述δ‑掺杂层上的阻挡层；并且其中，所述NMOS部分和所述PMOS部分两者中的所述成核层和所述缓冲层均基本上由相同的材料构成。