发明名称 |
采用二次封装的发光二极管封装结构 |
摘要 |
一种采用二次封装的发光二极管封装结构,其包括:一发光裸晶单元、一绝缘单元、一第一导电单元、一基板单元及一封装单元。该发光裸晶单元具有一正极导电层及一负极导电层。该绝缘单元成形于该正极导电层及该负极导电层之间。该第一导电单元具有一成形于该正极导电层上的正极导电焊垫及一成形于该负极导电层上的负极导电焊垫。该发光裸晶单元电性设置于该基板单元上。该封装单元覆盖该发光裸晶单元及该基板单元的一部分上表面,从而使得发光裸晶单元得到保护。 |
申请公布号 |
CN201780990U |
申请公布日期 |
2011.03.30 |
申请号 |
CN201020107134.0 |
申请日期 |
2010.01.25 |
申请人 |
宏齐科技股份有限公司 |
发明人 |
汪秉龙;庄峰辉;萧松益 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
一种采用二次封装的发光二极管封装结构,其特征在于,包括:一发光裸晶单元,其具有一正极导电层及一负极导电层;一绝缘单元,其成形于该正极导电层与该负极导电层之间;一第一导电单元,其具有一成形于该正极导电层上的正极导电焊垫及一成形于该负极导电层上的负极导电焊垫,以完成该发光裸晶单元的第一次封装;一基板单元,其上表面具有一正极导电区域及一负极导电区域,其中通过该正极导电焊垫电性接触于该正极导电区域及该负极导电焊垫电性接触于该负极导电区域,以使得该发光裸晶单元电性设置于该基板单元上;以及一封装单元,其覆盖该发光裸晶单元及该基板单元的一部分上表面。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |