| 发明名称 | 氮化物半导体自支撑衬底、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体自支撑衬底、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体装置，所述半导体自支撑衬底难以发生成为氮化物半导体结晶破坏的原因的裂纹。本发明的氮化物半导体自支撑衬底直径为40mm以上，厚度为100μm以上，位错密度在5×106/cm2以下，杂质浓度在4×1019/cm3以下，最大荷重在1mN以上50mN以下范围内时的纳米压痕硬度为19.0GPa以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101996862A | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN201010148168.9 | 申请日期 | 2010.03.24 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 藤仓序章 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体自支撑衬底，其直径为40mm以上，厚度为100μm以上，位错密度在5×106/cm2以下，杂质浓度在4×1019/cm3以下，最大荷重在1mN以上50mN以下范围内时的纳米压痕硬度为19.0GPa以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||