发明名称 |
用半固态反应制备Mg<sub>2</sub>Si粉体的方法 |
摘要 |
一种材料技术领域的用半固态反应制备Mg2Si粉体的方法,包括以下步骤:第一步,将Mg粉和Si粉按比例混合后球磨以活化粉末表面并保证混合均匀;第二步,将第一步得到的混合粉体装入坩埚,再整体放入一耐热合金材质的密封罐中进行密封;第三步,将密封罐放入普通的空气炉在700℃-900℃保温;第四步,将密封罐取出快冷到室温,即得到松散的Mg2Si粉体。本发明具有快速、高效的特点,由此方法制备的Mg2Si纯净度高、受杂质污染轻。 |
申请公布号 |
CN101264890B |
申请公布日期 |
2011.03.30 |
申请号 |
CN200810035221.7 |
申请日期 |
2008.03.27 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
孙锋;张芳;张惠义 |
分类号 |
C01B33/06(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海交达专利事务所 31201 |
代理人 |
王锡麟;王桂忠 |
主权项 |
一种用半固态反应制备Mg2Si粉体的方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,将Mg粉和Si粉按化学配比混合后球磨以活化粉末表面并保证混合均匀;所述球磨,是在氩气保护下进行;第二步,将第一步得到的混合粉体装入坩埚,再整体放入密封罐中进行密封,第二步中的所有操作都在充有一个大气压氩气的真空手套箱中实现;第三步,将密封罐放入普通的空气炉在700℃‑900℃保温;第四步,将密封罐取出快冷到室温,即得到松散的Mg2Si粉体。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |