发明名称 用半固态反应制备Mg<sub>2</sub>Si粉体的方法
摘要 一种材料技术领域的用半固态反应制备Mg2Si粉体的方法,包括以下步骤:第一步,将Mg粉和Si粉按比例混合后球磨以活化粉末表面并保证混合均匀;第二步,将第一步得到的混合粉体装入坩埚,再整体放入一耐热合金材质的密封罐中进行密封;第三步,将密封罐放入普通的空气炉在700℃-900℃保温;第四步,将密封罐取出快冷到室温,即得到松散的Mg2Si粉体。本发明具有快速、高效的特点,由此方法制备的Mg2Si纯净度高、受杂质污染轻。
申请公布号 CN101264890B 申请公布日期 2011.03.30
申请号 CN200810035221.7 申请日期 2008.03.27
申请人 上海交通大学 发明人 孙锋;张芳;张惠义
分类号 C01B33/06(2006.01)I 主分类号 C01B33/06(2006.01)I
代理机构 上海交达专利事务所 31201 代理人 王锡麟;王桂忠
主权项 一种用半固态反应制备Mg2Si粉体的方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,将Mg粉和Si粉按化学配比混合后球磨以活化粉末表面并保证混合均匀;所述球磨,是在氩气保护下进行;第二步,将第一步得到的混合粉体装入坩埚,再整体放入密封罐中进行密封,第二步中的所有操作都在充有一个大气压氩气的真空手套箱中实现;第三步,将密封罐放入普通的空气炉在700℃‑900℃保温;第四步,将密封罐取出快冷到室温,即得到松散的Mg2Si粉体。
地址 200240 上海市闵行区东川路800号