一种非挥发性电阻存储元件及其制备方法

摘要

本发明公开一种非挥发性电阻存储元件及其制备方法，该存储元件包括NiO/MgxZn1-xO(x＝0.4～1)p-n异质结薄膜层、以及分别配置在该异质结薄膜层上表面和下表面的Pt电极。本发明的电阻存储元件具有稳定且可重复的电阻开关特性，高阻、低阻两状态之间转换所对应电压值分布在0.55～0.6V之间，发散程度较小，且均低于1V，能够满足实际应用的要求，且该存储元件的高阻、低阻比值较大，达到106，保证了器件较高的信噪比，同时该存储元件的初始化电流较小，为1μA。本发明的制备方法采用溶胶-凝胶法，不但操作简单、成本低、化学组成易控，而且制备得到的薄膜无裂纹、致密性好、晶粒分布均匀。

主权项

一种非挥发性电阻存储元件，其特征在于该存储元件包括：(1)NiO/MgxZn1‑xO(x＝0.4～1)p‑n异质结薄膜层；(2)配置制作在上述NiO/MgxZn1‑xO(x＝0.4～1)p‑n异质结薄膜层上表面的Pt电极；(3)配置在上述NiO/MgxZn1‑xO(x＝0.4～1)p‑n异质结薄膜层下表面的Pt电极；所述NiO和MgxZn1‑xO层之间的位置关系为上下关系。